Электронные свойства легированных полупроводников
Шкловский Б.И., Эфрос А.Л.
В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. К этим явлениям относятся андерсеновская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической проводимости к активационной при изменении степени легирования и компенсации, оптические явления, связанные с хвостами плотности состояний. Современный подход к указанным проблемам в значительной мере основан на теории протекания. В книге дается первый в монографической литературе обзор этой новой математической дисциплины. Детально обсуждается основанный на теории протекания метод вычисления электропроводности сильно неоднородных сред. Систематически излагается теория прыжковой проводимости, построенная с помощью этого метода. Большое внимание уделяется сопоставлению ее результатов с экспериментом. Обсуждаются нерешенные проблемы теории.
ক্যাটাগোরিগুলো:
সাল:
1979
প্রকাশক:
Наука
ভাষা:
russian
পৃষ্ঠা:
416
ফাইল:
DJVU, 3.14 MB
IPFS:
,
russian, 1979